型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BLS6G3135-120

LDMOS S-Band radar power transistor

ETC

知名厂家

BLS6G3135-120

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS6G3135-120

LDMOS S-Band radar power transistor

ETC

知名厂家

BLS6G3135-120

LDMOS S-Band radar power transistor

Ampleon

安谱隆

封装/外壳:SOT-502A 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

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LDMOS S-Band radar power transistor

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Philips

飞利浦

BLS6G3135-120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLS6G3135-120

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
NA/
3256
原装现货,当天可交货,原型号开票
恩XP
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
恩XP
24+
120
现货供应
恩XP
25+
SMD
18000
全新原装现货,假一赔十
恩XP
24+
6
恩XP
18+
SOT608A
12500
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配
恩XP
25+
7788
原厂直接发货进口原装
恩XP
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
恩XP
25+
SOT502
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
恩XP
2018+
26976
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