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BLL1214-35

L-band radar LDMOS driver transistor

DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT467C) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on mounting base elimina

PHILIPS

飞利浦

BLL1214-35

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLL1214-35

L-band radar LDMOS driver transistor

ETC

知名厂家

封装/外壳:SOT-467C 包装:托盘 描述:RF FET LDMOS 75V 13DB SOT467C 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

BLL1214-35产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLL1214-35

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-3-11 18:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
25+
SOT
500000
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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