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BLA6G1011LS-200RG

RF Manual 16th edition

ETC

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BLA6G1011LS-200RG

Power LDMOS transistor

General description 200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz. Features and benefits  Typical pulsed RF performance at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 100 mA:  Output power = 200 W  Power

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLA6G1011LS-200RG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLA6G1011LS-200RG

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin LDMOST Bulk

更新时间:2025-8-17 14:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
1922+
8600
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多
恩XP
24+
SMD
1680
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十
恩XP
15+
射频管
92
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
恩XP
2023+
射频管
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
恩XP
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
BL
24+
DIP
6618
公司现货库存,支持实单
恩XP
23+
射频管
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
23+
SMD
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
恩XP
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货

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