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BFP650E6327

NPN Silicon Germanium RF Transistor

NPN Silicon Germanium RF Transistor Preliminary data • For high power amplifiers • Ideal for low phase noise oscilators • Maxim. available Gain Gma = 21 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 0.9 dB at 1.8 GHz • Gold metallization for high reliability • 70 GHz fT- Silicon Germanium technology.

Infineon

英飞凌

BFP650E6327产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFP650E6327

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

更新时间:2025-8-7 14:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
22+
SOT-343
8000
终端可免费供样,支持BOM配单
INFINEON
24+
SOT343
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON/英飞凌
24+
SOT343
60000
全新原装现货
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3920
原装现货,当天可交货,原型号开票
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-343
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
INFINEON
25+
SOT343
1300
原装正品,假一罚十!
INFINEO
18+
SOT343
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
inf
21+
SOT343
1000
原装现货假一赔十
INFINEON
23+
SOT343
7300
专注配单,只做原装进口现货

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