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UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION UPG133G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us	NEC 瑞萨	NEC
UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the	NEC 瑞萨	NEC
UPG133G	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION µPG132G is an L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 8 pin SSOP that is smaller than us	NEC 瑞萨	NEC
LM133	3-Ampere Adjustable Negative Regulators 文件：268.49 Kbytes Page：10 Pages	NSC 国半	NSC
LM133K	3-Ampere Adjustable Negative Regulators 文件：268.49 Kbytes Page：10 Pages	NSC 国半	NSC

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更新时间：2026-5-15 22:30:02

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BD9F500QUZ-E2
进口代理
2024-4-18
BE-A301
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2022-3-15
BF7612CM28，40k现货，批次21+
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2021-11-18
BF7612CM28，BYD，40K，21+
BF7612CM28，BYD，40K，21+
2021-11-10
BF862215
JFET - 25 V 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , GaN SiC SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET N-Channel 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , MESFET 射
2020-8-5
BD9F800 DC / DC降压开关稳压器BD9F800MUX-ZE2
ROHM Semiconductors的BD9F800是具有高速响应的恒定导通时间控制的DC / DC转换器
2020-6-9