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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BF1211WR | N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1211, BF1211R and BF1211WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | Philips 飞利浦 |   | |
BF1211WR | RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC | |
BF1211WR | N-channel dual-gate MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：托盘 描述：MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Coated Chokes (Axial Leads) 文件：130.9 Kbytes Page：2 Pages | FRONTIER | | ||
Reliable solid state operation 文件：604.19 Kbytes Page：2 Pages | LSTD 莱尔德 | | ||
Variable RF Inductor 文件：316.17 Kbytes Page：2 Pages | YANTEL 研通高频 | | ||
STANDARD SERIES 文件：244.87 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
SPEED DRIVER INTEGRATED SERIES 文件：587.49 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | |
BF1211WR产品属性
- 类型
描述
- 型号
BF1211WR
- 功能描述
MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
3350 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
恩XP |
24+ |
标准封装 |
17048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
恩XP |
25+ |
SOT143B |
100 |
原装正品,假一罚十! |
|||
Nexperia |
25+ |
N/A |
20000 |
||||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
5100 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
恩XP |
22+ |
SOT-343 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
PHI |
NEW |
SOT343 |
12300 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
BF1211WR芯片相关品牌
BF1211WR规格书下载地址
BF1211WR参数引脚图相关
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- C80
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- bul128
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- biss0001
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- BF12-F
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- BF1218
- BF1217
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2020-8-5BD9F800 DC / DC降压开关稳压器BD9F800MUX-ZE2
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