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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BF1211WR | N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1211, BF1211R and BF1211WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | PHILIPS 飞利浦 |   | |
BF1211WR | RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC | |
BF1211WR | N-channel dual-gate MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC | |
封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：托盘 描述：MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
STANDARD SERIES 文件：244.87 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
SPEED DRIVER INTEGRATED SERIES 文件：587.49 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
RF Coated Chokes (Axial Leads) 文件：130.9 Kbytes Page：2 Pages | FRONTIER | | ||
Reliable solid state operation 文件：604.19 Kbytes Page：2 Pages | LSTD 莱尔德 | | ||
Variable RF Inductor 文件：316.17 Kbytes Page：2 Pages | YANTEL 研通高频 | |
BF1211WR产品属性
- 类型
描述
- 型号
BF1211WR
- 功能描述
MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
17048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
恩XP |
25+23+ |
SOT343 |
14419 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
恩XP |
2023+ |
SOT-343 |
3000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
恩XP |
2026+ |
SOT143B |
100 |
原装正品,假一罚十! |
|||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
恩XP |
22+ |
SOT343 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
恩XP |
24+ |
CMPAK-4 |
115 |
||||
恩XP |
13+ |
SOD243 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
22+ |
SOT343 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
BF1211WR规格书下载地址
BF1211WR参数引脚图相关
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- C80
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- BF1217
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