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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BF1211R | N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1211, BF1211R and BF1211WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | Philips 飞利浦 |   | |
BF1211R | RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC | |
BF1211R | N-channel dual-gate MOS-FETs | ETC 知名厂家 | ETC | |
封装/外壳：SOT-143R 包装：托盘 描述：MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Coated Chokes (Axial Leads) 文件：130.9 Kbytes Page：2 Pages | FRONTIER | | ||
Reliable solid state operation 文件：604.19 Kbytes Page：2 Pages | LSTD 莱尔德 | | ||
Variable RF Inductor 文件：316.17 Kbytes Page：2 Pages | YANTEL 研通高频 | | ||
STANDARD SERIES 文件：244.87 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
SPEED DRIVER INTEGRATED SERIES 文件：587.49 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | |
BF1211R产品属性
- 类型
描述
- 型号
BF1211R
- 功能描述
射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS
- RoHS
否
- 制造商
NXP Semiconductors
- 配置
Dual Dual Gate
- 晶体管极性
N-Channel 电阻汲极/源极
- 汲极/源极击穿电压
6 V
- 闸/源击穿电压
6 V
- 漏极连续电流
30 mA
- 功率耗散
180 mW
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SC-88
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
24+ |
SOT23 |
13000 |
公司现货库存,支持实单 |
|||
恩XP |
25+ |
SOT143 |
15000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
恩XP |
25+23+ |
SOT343 |
14419 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
NPX |
22+ |
SOT143 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT-143SOT-23-4 |
9200 |
新进库存/原装 |
|||
恩XP |
2450+ |
SOT143-4P |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
|||
恩XP |
22+ |
SOT343 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
恩XP |
17+ |
SOT143 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
BF1211R规格书下载地址
BF1211R参数引脚图相关
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- C80
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- c1000
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- bul128
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- BF179B
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- BF179
- BF178
- BF173
- BF167
- BF151M
- BF12-F
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- BF1218
- BF1217
- BF1216
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