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BDW46晶体管资料
BDW46别名：BDW46三极管、BDW46晶体管、BDW46晶体三极管
BDW46生产厂家：塞麦拉布公司
BDW46制作材料：Si-P+Darl+Di
BDW46性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BDW46封装形式：直插封装
BDW46极限工作电压：80V
BDW46最大电流允许值：15A
BDW46最大工作频率：>4MHZ
BDW46引脚数：3
BDW46最大耗散功率：85W
BDW46放大倍数：β>1000
BDW46图片代号：B-45
BDW46vtest：80
BDW46htest：4000100
- BDW46atest：15
BDW46wtest：85
BDW46代换 BDW46用什么型号代替：
BDW46价格
参考价格：￥2.2883
型号：BDW46G 品牌：ONSemi 备注：这里有BDW46多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BDW46批发/采购报价，BDW46行情走势销售排行榜，BDW46报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BDW46 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors BDW39 BDW40 BDW41 BDW42 BDW43 (NPN) BDW44 BDW45 BDW46 BDW47 BDW48 (PNP) | Motorola 摩托罗拉 |   | |
BDW46 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. • Collector Emitter Sus | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BDW46 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BDW39 BDW40 BDW41 BDW42 BDW43 (NPN) BDW44 BDW45 BDW46 BDW47 BDW48 (PNP) | Motorola 摩托罗拉 | | |
BDW46 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= -5A • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5.0A = -3.0V(Max.)@ IC= -10A • Complement to Type BDW41 APPLICATIONS • | ISC 无锡固电 | | |
BDW46 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium-power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DCCurrent Gain - hFE = 2500 (typ) @ Ic = 5.0Adc. • Collector Emitter Susta | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BDW46 | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP DARL 80V 15A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BDW46 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：95.17 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BDW46 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：75.17 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BDW46 | 15 A，80 V PNP 达林顿双极功率晶体管 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. • Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc: VCEO(sus) = 80 Vdc ( | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP DARL 80V 15A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：95.17 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
BDW46产品属性
- 类型
描述
- 型号
BDW46
- 功能描述
达林顿晶体管 15A 80V Bipolar
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
13880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
23+ |
2013+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
AP |
23+ |
SO-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ON(安森美) |
2447 |
TO-220-3 |
115000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
ON |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
onsemi |
21+ |
1 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
||||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
BDW46芯片相关品牌
BDW46规格书下载地址
BDW46参数引脚图相关
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- C80
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BDW46数据表相关新闻
BD9F500QUZ-E2
进口代理
2024-4-18BE-A301
BE-A301
2022-3-15BF7612CM28，40k现货，批次21+
BF7612CM28，40k现货，批次21+
2021-11-18BF7612CM28，BYD，40K，21+
BF7612CM28，BYD，40K，21+
2021-11-10BD9F800 DC / DC降压开关稳压器BD9F800MUX-ZE2
ROHM Semiconductors的BD9F800是具有高速响应的恒定导通时间控制的DC / DC转换器
2020-6-9BD9328EFJ-降压型开关稳压器
BD9328EFJ：降压型开关稳压器 ●简介 BD9328EFJ是一个同步降压开关稳压器，集成了2低电阻N沟道MOSFET。 较宽广的输入电压范围内达到2A的连续输出电流。 电流模式能提供快速瞬态响应和容易的相位补偿。 ●特点 1）宽输入范围4.2V〜18.0V 2）2A输出电流 3）高侧/低侧FET导通电阻;0.15/0.13Ω电源开关 4）低ESR输出陶瓷电容器 5）低待机电流在关断模式 6）380 kHz的固定经营频
2012-11-10
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