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BDT30C晶体管资料

  • BDT30C别名:BDT30C三极管、BDT30C晶体管、BDT30C晶体三极管

  • BDT30C生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT30C制作材料:Si-PNP

  • BDT30C性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BDT30C封装形式:直插封装

  • BDT30C极限工作电压:100V

  • BDT30C最大电流允许值:1A

  • BDT30C最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT30C引脚数:3

  • BDT30C最大耗散功率:30W

  • BDT30C放大倍数

  • BDT30C图片代号:B-45

  • BDT30Cvtest:100

  • BDT30Chtest:999900

  • BDT30Catest:1

  • BDT30Cwtest:30

  • BDT30C代换 BDT30C用什么型号代替:3CA10D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT30C

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:116.2 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT30C

Silicon PNP Power Transistors

文件:132.72 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT30C

Trans GP BJT PNP 100V 1A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon PNP Power Transistors

文件:135.62 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:114.25 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT30C产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    140V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.7@0.125A@1AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    100V

  • Maximum DC Collector Current:

    1A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    30000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    3(Min)MHz

  • Type:

    PNP

更新时间:2026-5-14 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
恩XP
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
AP
23+
SO-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ISC/固电
23+
TO-220
26000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
恩XP
22+
TO-220F
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