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BDT30C中文资料

厂家型号

BDT30C

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2

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

isc Silicon PNP Power Transistors

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

BDT30C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT30C

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Power Transistors

更新时间:2026-1-29 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
恩XP
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
AP
23+
SO-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
恩XP
22+
TO-220F
92036
恩XP
25+
TO-TO-220
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ISC/固电
23+
TO-220
26000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

BDT30C 晶体管资料

  • BDT30C别名:BDT30C三极管、BDT30C晶体管、BDT30C晶体三极管

  • BDT30C生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT30C制作材料:Si-PNP

  • BDT30C性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BDT30C封装形式:直插封装

  • BDT30C极限工作电压:100V

  • BDT30C最大电流允许值:1A

  • BDT30C最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT30C引脚数:3

  • BDT30C最大耗散功率:30W

  • BDT30C放大倍数

  • BDT30C图片代号:B-45

  • BDT30Cvtest:100

  • BDT30Chtest:999900

  • BDT30Catest:1

  • BDT30Cwtest:30

  • BDT30C代换 BDT30C用什么型号代替:3CA10D,