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BD836晶体管资料

  • BD836别名:BD836三极管、BD836晶体管、BD836晶体三极管

  • BD836生产厂家:美国通用电器公司

  • BD836制作材料:Si-PNP

  • BD836性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD836封装形式:直插封装

  • BD836极限工作电压:60V

  • BD836最大电流允许值:3A

  • BD836最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD836引脚数:3

  • BD836最大耗散功率:15W

  • BD836放大倍数

  • BD836图片代号:B-84

  • BD836vtest:60

  • BD836htest:999900

  • BD836atest:3

  • BD836wtest:15

  • BD836代换 BD836用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

P-Channel 2.5V Specified MOSFET

General Description SuperSOTTM -8 P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performa

FAIRCHILD

仙童半导体

Linear Integrated Circuit TV Horizontal Processor

Description: The NTE836 is a TV Horizontal Processor in an 8–Lead DIP type package that includes a phase detector, oscillator and pre–driver. This device is designed for use in all types of television receivers that have negative flyback inputs. Features: • Internal Shunt Regulator •

NTE

MICROPOWER VOLTAGE SUPERVISOR RESET ACTIVE HIGH

DESCRIPTION The TS836 ultra low power integrated circuit incorporates a high stability band-gap voltage reference and a comparator with open drain output. The threshold voltage is set at 4.5V for TS836-4 by internal thermally matched resistances. The comparator exhibits a 20µs response (with 10

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

DESCRIPTION The µPA836TF has two different built-in transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF band. FEATURES • Low noise Q1 : NF = 1.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 3 mA Q2 : NF = 1.7 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High gain Q1 : |

NEC

瑞萨

MicroConverter, Dual 16-Bit/24- Bit ADCs with Embedded 62 kB Flash MCU

文件:1.43798 Mbytes Page:80 Pages

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更新时间:2026-5-15 13:38:02
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    公司只做原装 以质量求生存,以诚信谋发展

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    2012-11-10