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BD82005FVJ-M

AEC-Q100 Qualified

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ROHM

罗姆

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8TSSOP 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

ETC

知名厂家

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI MSC82005 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2000 MHz. FEATURES: • PG = 7.0 dB min. at 5W/ 2,000 MHz • Common Base • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System

ASI

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC82005 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SURFCOIL SMT INDUCTORS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

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KBKing blillion Electronics Co.,Ltd.

骏亿骏亿电子股份有限公司

更新时间:2025-8-11 23:00:00
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