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BD648F晶体管资料

  • BD648F别名:BD648F三极管、BD648F晶体管、BD648F晶体三极管

  • BD648F生产厂家

  • BD648F制作材料:Si-P+Darl+Di

  • BD648F性质:LSO

  • BD648F封装形式:直插封装

  • BD648F极限工作电压:80V

  • BD648F最大电流允许值:8A

  • BD648F最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD648F引脚数:3

  • BD648F最大耗散功率:>20W

  • BD648F放大倍数

  • BD648F图片代号:B-10

  • BD648Fvtest:80

  • BD648Fhtest:999900

  • BD648Fatest:8

  • BD648Fwtest:20.0001

  • BD648F代换 BD648F用什么型号代替:BDT62AF,BDT62BF,BDT62CF,2SB1020,2SD1021,2SB1283,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD648F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件:279.76 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

SIEMENS

西门子

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A

POINN

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 AND BD651 • 62.5 W at 25°C Case Temperture • 8 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A

TRSYS

Transys Electronics

Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp

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FAST RECOVERY DIODE Repetitive voltage up to 2500 V Mean forward current 2510 A Surge current 30 kA

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更新时间:2026-5-14 15:46:00
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