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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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BD648-S | 封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) | ||
DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
MINIATUREFUSEHOLDERS 文件:113.57 Kbytes Page:1 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司 | |||
GeneralPurposeTweezers 文件:3.67611 Mbytes Page:4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
GeneralPurposeTweezers 文件:3.67611 Mbytes Page:4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
600Hand600NHseries 文件:324.88 Kbytes Page:8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |
BD648-S产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD648-S
- 功能描述
达林顿晶体管 80V 8A PNP
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FSC |
19+ |
TO-220F |
65973 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
1 |
||||
BOURNS/伯恩斯 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST |
22+ |
TO-220 |
25000 |
绝对全新原装现货 |
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BOURNS/伯恩斯 |
2021+ |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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NXP |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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BOURNSINC |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ST |
2023+ |
TO-220 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
ST |
TO-220 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
BD648-S规格书下载地址
BD648-S参数引脚图相关
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-25BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHMSemiconductor的系统PMIC集成了i.MX8MNano处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
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2019-9-24BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出(的I/O),作为一般用途的I/O缓冲器细胞:•bd4f5fsls33•bd4puf5fsls33•bd4puodf5fsls33•bd4puodf5fscls33该I/O缓冲器提供芯片外,双向I/O的applicationspecific信号集成电路(ASIC)的LSI逻辑芯片实现G12号™-P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I/O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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