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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
BD645F	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：278.85 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
645	TREK 645 PRODUCT HIGHLIGHTS  Supports both Coulombic and Johnsen-Rahbek ESC technologies  User configurable for custom clamp and declamp sequences and wave shapes  Electrostatic chuck profiles can be uploaded to the unit and stored internally via a user-friendly software interface  Documented redu	ADVANCEDENERGY 先进能源工业	ADVANCEDENERGY
AD645	Low Noise, Low Drift FET Op Amp PRODUCT DESCRIPTION The AD645 is a low noise, precision FET input op amp. It offers the pico amp level input currents of a FET input device coupled with offset drift and input voltage noise comparable to a high performance bipolar input amplifier. FEATURES Improved Replacement for Burr-Brow	AD 亚德诺	AD
AD645A	Low Noise, Low Drift FET Op Amp PRODUCT DESCRIPTION The AD645 is a low noise, precision FET input op amp. It offers the pico amp level input currents of a FET input device coupled with offset drift and input voltage noise comparable to a high performance bipolar input amplifier. FEATURES Improved Replacement for Burr-Brow	AD 亚德诺	AD
645H	Very Low Jitter HCSL Clock 文件：662.87 Kbytes Page：7 Pages	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
645H	600H and 600NH series 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

BD645F供应商更多...

更新时间：2025-8-13 19:53:00

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BD733L5FP-CE2
BD733L5FP-CE2
2023-4-23
BD6232FP-E2电机驱动/控制器
BD6232FP-E2ROHM200015+25HSOP原盘原标假一罚十优势现货
2021-9-16
BD63241FV-E2
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-25
BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHM Semiconductor 的系统 PMIC 集成了 i.MX 8M Nano 处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
2020-3-5
BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC
ROHM的可编程电源管理IC（PMIC）专为单核，双核和四核SoC供电
2019-9-24
BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出（的I / O），作为一般用途的I / O缓冲器细胞： •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外，双向I/ O的applicationspecific信号集成电路（ASIC）的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5