BD645晶体管资料

  • BD645别名:BD645三极管、BD645晶体管、BD645晶体三极管

  • BD645生产厂家:德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD645制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BD645性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD645封装形式:直插封装

  • BD645极限工作电压:60V

  • BD645最大电流允许值:8A

  • BD645最大工作频率:>10MHZ

  • BD645引脚数:3

  • BD645最大耗散功率:62.5W

  • BD645放大倍数:β>750

  • BD645图片代号:B-10

  • BD645vtest:60

  • BD645htest:10000100

  • BD645atest:8

  • BD645wtest:62.5

  • BD645代换 BD645用什么型号代替:BD697,BD897,BDW73A,BDX33A,BDX53A,FD50B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BD645

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

POINNPower Innovations Ltd

Power Innovations Ltd

POINN
BD645

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD645

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD645

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns
BD645

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BD645

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD645

NPNSiliconDarlingtonTransistors

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BD645

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns
BD645

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

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COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD645

SiliconNPNPowerTransistors

文件:117.82 Kbytes Page:4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BD645

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

文件:108.24 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Siliconmonolithicintegratedcircuits

Description Thisis1-chipsystemmotordriverintegrating2-channelH-bridgedriver,step-downswitchingregulatorwithbuilt-inpowerDMOS,seriesregulatorandresetoutput. Features 1)Low-onresistanceoutputH-bridgedriver(2-channel) 2)Constant-currentchoppingdriveH-bridgedriver

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

SystemMotorDriver

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SystemDriverforInkJetPrinters

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SystemDriverforInkJetPrinters

文件:403.72 Kbytes Page:17 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

包装:卷带(TR) 描述:IC MOTOR DRIVER 7V-36V 40HTSSOP 集成电路(IC) 电机驱动器,控制器

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SystemDriverforInkJetPrinters

文件:403.72 Kbytes Page:17 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Siliconmonolithicintegratedcircuit

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

文件:146.79 Kbytes Page:2 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

文件:147.04 Kbytes Page:2 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

文件:278.85 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

LowNoise,LowDriftFETOpAmp

PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

LowNoise,LowDriftFETOpAmp

PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

LowNoise,LowDriftFETOpAmp

PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

VeryLowJitterHCSLClock

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CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

CTS

600Hand600NHseries

文件:324.88 Kbytes Page:8 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

BD645产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD645

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-4-30 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2020+
TQFP64
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ST
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
POWER
23+
TO-220
25000
专做原装正品,假一罚百!
ROHM/罗姆
1948+
QFP
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ROHM
2020+
HTSSOP-B28
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
BOURNS/伯恩斯
21+
TO220
650
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NXP
20+
TO-220
90000
全新原装正品/库存充足
BOURNS/伯恩斯
23+
NA/
84
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ROHM/罗姆
21+
TSSOP28
2250
全新原装现货
BD645
30
30

BD645芯片相关品牌

  • ARIES
  • Bourns
  • FERROXCUBE
  • Fuji
  • KOA
  • MEANWELL
  • PREDIP
  • RFE
  • SMC
  • TRUMPOWER
  • WPI
  • YANGJIE

BD645数据表相关新闻

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    BD6232FP-E2ROHM200015+25HSOP原盘原标假一罚十优势现货

    2021-9-16
  • BD63241FV-E2

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-25
  • BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2

    ROHMSemiconductor的系统PMIC集成了i.MX8MNano处理器和系统外围设备所需的所有电源轨

    2020-3-5
  • BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC

    ROHM的可编程电源管理IC(PMIC)专为单核,双核和四核SoC供电

    2019-9-24
  • BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器

    LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出(的I/O),作为一般用途的I/O缓冲器细胞:•bd4f5fsls33•bd4puf5fsls33•bd4puodf5fsls33•bd4puodf5fscls33该I/O缓冲器提供芯片外,双向I/O的applicationspecific信号集成电路(ASIC)的LSI逻辑芯片实现G12号™-P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I/O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。

    2013-3-5