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BD501晶体管资料
BD501(A,B)别名:BD501(A,B)三极管、BD501(A,B)晶体管、BD501(A,B)晶体三极管
BD501(A,B)生产厂家:美国无线电公司
BD501(A,B)制作材料:Si-NPN
BD501(A,B)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
BD501(A,B)封装形式:直插封装
BD501(A,B)极限工作电压:60V
BD501(A,B)最大电流允许值:10A
BD501(A,B)最大工作频率:<1MHZ或未知
BD501(A,B)引脚数:3
BD501(A,B)最大耗散功率:75W
BD501(A,B)放大倍数:
BD501(A,B)图片代号:B-10
BD501(A,B)vtest:60
BD501(A,B)htest:999900
- BD501(A,B)atest:10
BD501(A,B)wtest:75
BD501(A,B)代换 BD501(A,B)用什么型号代替:BD809,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BD501 | isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary | ISC 无锡固电 | ||
BD501 | Silicon NPN Power Transistors 文件:128.02 Kbytes Page:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | ||
BD501 | Trans GP BJT NPN 50V 10A | ETC 知名厂家 | ETC | |
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50 AMP BLOCK DIODES 文件:245.62 Kbytes Page:2 Pages | SHUNYE 顺烨电子 | |||
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BD501产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD501
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistors
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
21+ |
TO252-3 |
21000 |
一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
ST |
22+ |
TO-220 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ST |
25+ |
TO-220 |
16900 |
原装,请咨询 |
|||
MOT |
25+ |
6 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO220FP-5 |
24500 |
罗姆全系列在售 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
to-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ROHM |
23+ |
SOT-263-3 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
BD501规格书下载地址
BD501参数引脚图相关
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- c62f
- c430p
- c3055
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
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LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出(的I / O),作为一般用途的I / O缓冲器细胞: •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外,双向I/ O的applicationspecific信号集成电路(ASIC)的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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