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BD501晶体管资料

  • BD501(A,B)别名:BD501(A,B)三极管、BD501(A,B)晶体管、BD501(A,B)晶体三极管

  • BD501(A,B)生产厂家:美国无线电公司

  • BD501(A,B)制作材料:Si-NPN

  • BD501(A,B)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD501(A,B)封装形式:直插封装

  • BD501(A,B)极限工作电压:60V

  • BD501(A,B)最大电流允许值:10A

  • BD501(A,B)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD501(A,B)引脚数:3

  • BD501(A,B)最大耗散功率:75W

  • BD501(A,B)放大倍数

  • BD501(A,B)图片代号:B-10

  • BD501(A,B)vtest:60

  • BD501(A,B)htest:999900

  • BD501(A,B)atest:10

  • BD501(A,B)wtest:75

  • BD501(A,B)代换 BD501(A,B)用什么型号代替:BD809,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD501

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary

ISC

无锡固电

BD501

Silicon NPN Power Transistors

文件:128.02 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BD501

Trans GP BJT NPN 50V 10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

50 AMP BLOCK DIODES

文件:245.62 Kbytes Page:2 Pages

SHUNYE

顺烨电子

50 AMP BLOCK DIODES

文件:245.62 Kbytes Page:2 Pages

SHUNYE

顺烨电子

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,50-400V)

MOSPEC

统懋

High-Speed Output Clamping Op Amp

文件:403.11 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

High-Speed Output Clamping Op Amp

文件:403.11 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

High-Speed Output Clamping Op Amp

文件:403.11 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

Silicon MOS IC

文件:38.69 Kbytes Page:3 Pages

PANASONIC

松下

BD501产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    55V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1@0.5A@5AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    50V

  • Maximum DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    75000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    8(Typ)MHz

  • Type:

    NPN

更新时间:2026-8-1 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
TO-220
90366
ST
25+
TO-220
20000
原装,请咨询
恩XP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
ST
26+
TO-220
60000
只有原装 可配单
24+
TO-220
10000
全新
ST
25+
TO-220
20000
原装
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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