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BD501中文资料

厂家型号

BD501

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

BD501数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min)

80V(Min)

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

BD501产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD501

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Power Transistors

更新时间:2026-1-27 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
恩XP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
18+
TO-220
41200
原装正品,现货特价
ON/安森美
23+
to-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
恩XP
22+
TO-220
90366
恩XP
25+
TO-TO-220
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST
25+
TO-220
16900
原装,请咨询
ST
22+
TO-220
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ST
26+
TO-220
60000
只有原装 可配单

BD501 晶体管资料

  • BD501(A,B)别名:BD501(A,B)三极管、BD501(A,B)晶体管、BD501(A,B)晶体三极管

  • BD501(A,B)生产厂家:美国无线电公司

  • BD501(A,B)制作材料:Si-NPN

  • BD501(A,B)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD501(A,B)封装形式:直插封装

  • BD501(A,B)极限工作电压:60V

  • BD501(A,B)最大电流允许值:10A

  • BD501(A,B)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD501(A,B)引脚数:3

  • BD501(A,B)最大耗散功率:75W

  • BD501(A,B)放大倍数

  • BD501(A,B)图片代号:B-10

  • BD501(A,B)vtest:60

  • BD501(A,B)htest:999900

  • BD501(A,B)atest:10

  • BD501(A,B)wtest:75

  • BD501(A,B)代换 BD501(A,B)用什么型号代替:BD809,