| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous | AOSMD 万国半导体 |   | ||
Dual N-Channel MOSFET ■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) | KEXIN 科信电子 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09623 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Adjustable RF Inductors 文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Adjustable RF Inductors 文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-1-28BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出（的I / O），作为一般用途的I / O缓冲器细胞： •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外，双向I/ O的applicationspecific信号集成电路（ASIC）的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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