BD250B晶体管资料

  • BD250B别名:BD250B三极管、BD250B晶体管、BD250B晶体三极管

  • BD250B生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD250B制作材料:Si-PNP

  • BD250B性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD250B封装形式:直插封装

  • BD250B极限工作电压:80V

  • BD250B最大电流允许值:25A

  • BD250B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD250B引脚数:3

  • BD250B最大耗散功率:125W

  • BD250B放大倍数

  • BD250B图片代号:B-62

  • BD250Bvtest:80

  • BD250Bhtest:999900

  • BD250Batest:25

  • BD250Bwtest:125

  • BD250B代换 BD250B用什么型号代替:BD258/80,TIP36B,3CD15C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD250B

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD249 Series ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 25 A Continuous Collector Current ● 40 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

Bourns

伯恩斯

BD250B

POWER TRANSISTORS(25A,125W)

COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS

MOSPEC

统懋

BD250B

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD249 Series ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 25 A Continuous Collector Current ● 40 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

POINN

BD250B

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BD249/A/B/C • 125 W at 25°C case temperature • 25 A continuous collector current

SAVANTIC

BD250B

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BD249/A/B/C • 125 W at 25°C case temperature • 25 A continuous collector current

ISC

无锡固电

BD250B

Silicon PNP Power Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BD250B

Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(3+Tab) SOT-93

NJS

BD250B

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

BD250B

Silicon NPN Power Transistors

文件:146.37 Kbytes Page:3 Pages

SAVANTIC

封装/外壳:TO-218-3 包装:管件 描述:TRANS PNP 80V 25A SOT93 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

High peak current carrying capability up to 6000A

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TEC

泰科电子

Commercial Composition 9mm Diameter Variable Resistors

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CTS

西迪斯

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依必安派特

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依必安派特

BD250B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD250B

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-9-29 11:27:00
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