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BD20B12

100Base-TDUALportthroughholeMagnetics

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TNKDongguan Xinkang Electronic Technology Co., Ltd.

讯康电子东莞市讯康电子科技股份有限公司

TNK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFETs120V,20A,N-channel

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN

PowerMOSFET

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-6-19 17:53:00
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TNK/讯康
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