BD139G价格

参考价格:¥1.0432

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD139G

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • Pb−Free Packages are Available • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @

ONSEMI

安森美半导体

BD139G

Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

BD139G

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 80V 1.5A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN POWER TRANSISTORS

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UTC

友顺

NPN POWER TRANSISTORS

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UTC

友顺

Precision Wirewound Resistors

100 Series / SM Series / PC Series • Resistances to 6 Megohms • Resistance Tolerances to ±0.005 • Temperature Coeffcients of ±2 ppm/°C • High TCR Available (Balco & Platinum Wire) • 100 Acceptance Tested / Traceable to NIST • Long Term Stability / 100ppm/year • Matched Resistance Sets t

Riedon

RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Reliable solid state operation

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LSTD

莱尔德

RUGGED & LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Precision Wirewound Resistors

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Riedon

BD139G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD139G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-6 18:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
OnSemi
当天发货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ONN
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