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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD1366STU

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 包装:散装 描述:TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

Medium Power Linear and Switching Applications

Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching

FAIRCHILD

仙童半导体

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER • Complement to KSD2012

FAIRCHILD

仙童半导体

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Collector Power Dissipation : PC=25W (Tc=25ᴱ) • Complementary to KTD2058.

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER • Complement to KSD2012

FAIRCHILD

仙童半导体

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Collector Power Dissipation : PC=25W (Tc=25ᴱ) • Complementary to KTD2058.

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

BD1366STU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD1366STU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-15 15:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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