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丝印代码:BCT29827B;10-BIT BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS

• State-of-the-Art BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) • 3-State Outputs Drive Bus Lines or Buffer Memory Address Registers • P-N-P Inputs Reduce DC Loading • Flow-Thr

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德州仪器

丝印代码:BCT29827B;10-BIT BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS

• State-of-the-Art BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) • 3-State Outputs Drive Bus Lines or Buffer Memory Address Registers • P-N-P Inputs Reduce DC Loading • Flow-Thr

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更新时间:2026-3-11 15:22:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Texas Instruments
25+
24-SOIC(0.295 7.50mm 宽)
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24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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