位置:首页 > IC中文资料第728页 > BC859BLT1G
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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BC859BLT1G | GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
BC859BLT1G | GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements. | FS First Silicon Co., Ltd | ||
BC859BLT1G | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
BC859BLT1G | GeneralPurposeTransistors 文件:154.41 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 文件:148.17 Kbytes Page:7 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
BC859BLT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
BC859BLT1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
22+ |
NA |
2544 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
725173 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
6000 |
原装正品,假一罚十! |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
S0T-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ON |
24+ |
SOT233SNGL |
6000 |
||||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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BU |
24+ |
SOT-23 |
6618 |
公司现货库存,支持实单 |
|||
N/A |
23+ |
80000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
BC859BLT1G规格书下载地址
BC859BLT1G参数引脚图相关
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- c3055
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www.hfxcom.com
2022-1-12BC858BLT3G
BC858BLT3G
2021-8-12
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