型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BC858CW-G

SmallSignalTransistor

Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand

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典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
BC858CW-G

封装/外壳:SC-70,SOT-323 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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GeneralPurposeTransistor

Features -Lowcurrent(max.100mA). -Lowvoltage. -AEC-Q101Qualified.

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GeneralPurposeTransistor

Features -ForAFinputstagesanddriverapplications. -Highcurrentgain. -Lowcollector-emittersaturationvoltage. -Lownoisebetween30Hzand15kHz. -AEC-Q101Qualified.

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DifferentialInput4-PoleFilters

文件:544.41 Kbytes Page:13 Pages

FREQUENCYDEVICES

Frequency Devices, Inc.

FREQUENCYDEVICES

8-BitProgrammable

文件:524.039 Kbytes Page:19 Pages

FREQUENCYDEVICES

Frequency Devices, Inc.

FREQUENCYDEVICES

2X48-PoleFilters

文件:540.45 Kbytes Page:19 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

BC858CW-G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC858CW-G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT -30, -.1

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-4 14:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ON
00+
SOT323
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
Infineon/英飞凌
SOT-323
22+
6000
十年配单,只做原装
Infineon/英飞凌
24+
TO-218
6618
公司现货库存,支持实单
infineon technologies
23+
NA
358700
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销
Infineon/英飞凌
22+
SOT-323
25000
只做原装进口现货,专注配单
YANGJIE
24+
SOT-323
50000
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
INFINEON/英飞凌
2511
SOT-323
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价

BC858CW-G芯片相关品牌

  • AMPHENOLCS
  • Central
  • GENESIC
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