型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BC858CDXV6T5

Dual General Purpose Transistor

文件:65.82 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC858CDXV6T5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC858CDXV6T5

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-29 11:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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SOT23
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