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BC343晶体管资料

  • BC343别名:BC343三极管、BC343晶体管、BC343晶体三极管

  • BC343生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • BC343制作材料:Si-PNP

  • BC343性质:低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)

  • BC343封装形式:直插封装

  • BC343极限工作电压:70V

  • BC343最大电流允许值:1A

  • BC343最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BC343引脚数:3

  • BC343最大耗散功率:0.8W

  • BC343放大倍数

  • BC343图片代号:C-40

  • BC343vtest:70

  • BC343htest:999900

  • BC343atest:1

  • BC343wtest:0.8

  • BC343代换 BC343用什么型号代替:BC161,BC303,3CK10E,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE Surface Mount Package Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Gate Including a N-ch BC3134K and a P-ch BC3139K (independently) In a Package APPLICATION Load/ Power Switching Interfacing Switching Battery Management for Ultra Small Portable Elect

GWSEMI

唯圣电子

场效应晶体管

CHINABASE

创基电子

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

BC343产品属性

  • 类型

    描述

  • Ptot(W):

    0.2

  • ID(A):

    0.75

  • VDSS(V):

    20

  • VGS(V):

    12

  • IDSS(uA):

    1

  • IDSS(V):

    20

  • IGSS(nA):

    2

  • IGSS(V):

    10

  • VGSth(V):

    0.35-1.1

  • VGSth(mA):

    0.25

  • PackageOutline:

    SOT-363

  • Arrays:

    GSD

更新时间:2026-5-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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