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HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE

Features • Fast Switching Speed: Maximum of 50ns • High Reverse Breakdown Voltage: 325V for Single Diode or 650V for Series Connection • Two Electrically Isolated Elements in a Single Compact Package • Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-12-18 23:01:01
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