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High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

Description • High breakdown voltage. (BVCEO=-400V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =-0.2V at Ic/IB =-20mA/-2mA. • Wide SOA (safe operation area). • Complementary to BTC4505N3.

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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