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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AE

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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 St

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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更新时间:2026-3-13 9:11:01
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