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B1D03120E

SiCSchottkyDiode

Features ⚫Extremelylowreversecurrent ⚫Noreverserecoverycurrent ⚫Temperatureindependentswitching ⚫PositivetemperaturecoefficientonVF ⚫Excellentsurgecurrentcapability ⚫Lowcapacitivecharge Benefits ⚫Essentiallynoswitchinglosses ⚫Systemefficiencyimprovementover

BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR

基本半导体深圳基本半导体有限公司

BASICSEMI
更新时间:2025-7-22 8:46:00
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