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B1D03120E

SiC Schottky Diode

Features ⚫ Extremely low reverse current ⚫ No reverse recovery current ⚫ Temperature independent switching ⚫ Positive temperature coefficient on VF ⚫ Excellent surge current capability ⚫ Low capacitive charge Benefits ⚫ Essentially no switching losses ⚫ System efficiency improvement over

BASICSEMI

基本半导体

更新时间:2025-12-11 18:09:00
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