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3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

Features • 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600Ω • Total Dose     - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) • Single Event     - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects     - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80 of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias • Dose Rat

Intersil

B110R1BOBN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    B110R1BOBN

  • 制造商

    APEM

更新时间:2026-1-5 13:14:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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