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3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

Features • 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600Ω • Total Dose     - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) • Single Event     - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects     - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80 of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias • Dose Rat

Intersil

B110R1BBBN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    B110R1BBBN

  • 制造商

    APEM

更新时间:2025-12-29 18:00:02
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