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AO5803E中文资料

厂家型号

AO5803E

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5

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO5803E数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO5803E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 1.8V, in the small SC89-6L footprint. It can be used as load switching, and wide variety of FET applications. AO5803E and AO5803EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5803EL is Halogen Free

Features

VDS (V) = -20V

ID = -0.6A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 0.8Ω (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 1.0Ω (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED

AO5803E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO5803E

  • 功能描述

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-12-2 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI(亚德诺)
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SC89-6
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