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AO5803E数据手册规格书PDF详情
General Description
The AO5803E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 1.8V, in the small SC89-6L footprint. It can be used as load switching, and wide variety of FET applications. AO5803E and AO5803EL are electrically identical.
-RoHS compliant
-AO5803EL is Halogen Free
Features
VDS (V) = -20V
ID = -0.6A (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 0.8Ω (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 1.0Ω (VGS = -2.5V)
RDS(ON)
ESD PROTECTED
AO5803E产品属性
- 类型
描述
- 型号
AO5803E
- 功能描述
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
-
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
SC89-6 |
18524 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
|||
AOS/万代 |
25+ |
SC89-6 |
32360 |
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|||
AO |
16+ |
SC89-6 |
12500 |
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AOS/万代 |
2019+ |
SC89-6 |
18000 |
原厂渠道 可含税出货 |
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AO |
2020+PB |
SC89-6 |
12500 |
原装正品 可含税交易 |
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2024+ |
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24+ |
QR |
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一级代理/放心采购 |
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AOS |
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SC-89-6 |
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- B0515S-W5
- EP4CE75
- MPI2520
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