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AO5401E中文资料

厂家型号

AO5401E

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5

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO5401E数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO5401E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.AO5401E and AO5401EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5401EL is Halogen Free

Features

VDS (V) = -20V

ID = -0.5 A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 0.8Ω (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 1Ω (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED!

AO5401E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO5401E

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-24 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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