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AO4619中文资料

厂家型号

AO4619

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153Kbytes

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7

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

数据手册

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生产厂商

AOSMD

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General Description

The AO4619 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications. Standard Product AO4619 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 7.4A (VGS=10V) -5.2A (VGS = -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 24mΩ (VGS=10V) < 48mΩ (VGS = -10V)

AO4619产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4619

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-4 14:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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