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AO3413L中文资料

厂家型号

AO3413L

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6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO3413L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

Features

VDS (V) = -20V

ID = -3 A

RDS(ON) < 97mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 130mΩ (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

AO3413L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO3413L

  • 制造商

    AOS

  • 功能描述

    MOSFET

更新时间:2025-12-1 22:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ALPHA
2016+
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