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AO3413中文资料

厂家型号	AO3413
文件大小	958.67Kbytes
页面数量	4页
功能描述	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23
数据手册	下载地址一下载地址二
简称	KERSEMI
生产厂商	Kersemi Electronic Co., Ltd.
中文名称	官网
LOGO

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AO3413数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

Features

VDS (V) = -20V

ID = -3 A

RDS(ON) < 97mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 130mΩ (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

AO3413产品属性

类型
描述
型号
AO3413
功能描述
MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™ FET
型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds
1560pF @ 25V 功率 -
最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AO3413供应商...

更新时间：2025-6-19 10:03:00

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