安海半导体（ANHI Semiconductor）是由具备功率半导体行业超过20年经验的资深团队组建而成，专注于高性能功率半导体技术、产品及系统方案的开发。以自主知识产权体系、自主工艺器件技术和产品技术为核心的构建国内首个专注于高性能第三代功率半导体技术领先的公司。为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。

安海半导体推出基于世界领先的平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，并且拥有首份国内碳化硅SIC MOSFET 沟槽结构发明专利。产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻；具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强；电压覆盖1200V、1700V、1900V、3300V等广泛电压和以上优点。

典型应用领域为：新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在新能源应用上更能满足新能源汽车、充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

SiC MOSFET、SJ MOSFET、SGTMOSFET、IGBT