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ACE8204TLNN+H中文资料

厂家型号

ACE8204TLNN+H

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480.12Kbytes

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7

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection

数据手册

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生产厂商

ACE

ACE8204TLNN+H数据手册规格书PDF详情

Description

The ACE8204TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.

They offer operation over a wide gate drive range from 2.5V to 8V. It is ESD protected. This device is

suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain

configuration.

Features

• VDS(V)=20V

• ID=7A

• RDS(ON)<17 mΩ (VGS=4.5V)

• RDS(ON)<24 mΩ (VGS=2.5V)

• ESD Protected: 2000V

• DFN3*3-8L

更新时间:2025-9-26 16:21:00
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