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芯片资料

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BAS281	Schottky Barrier Diodes FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
P281	PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim	POLYFET	POLYFET
TC281	1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor 文件：238.9 Kbytes Page：18 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC281-	Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC281DPTR-ADJ	Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages	TI 德州仪器	TI

AW-AM281SMEVB供应商更多...

更新时间：2026-3-16 20:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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AW8010AFCR，原装正品现货出售
AW8010AFCR
2023-2-6
AW9670QNR
AW9670QNR MICRON/美光 2020 BGA AS3933 SAMSUNG/三星 2018+ BGA AQZ104 SAMSUNG/三星 2020 BGA AQZ104D QUALCOMM/高通 2018+ BGA RT8209BGQW QUALCOMM/高通 2020 BGA MBI6651G QUALCOMM/高通 2020 BGA C100A QUALCOMM/高通 2018+ BGA PM8226 QUALCOMM/高通 2020 BGA AW9106TQR QUALCOMM/高通 2018+ BGA AW9106BTQ
2021-5-26
AX1000-1CQ352B FPGA - 现场可编程门阵列
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2021-1-6
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2019-6-25
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2019-3-7
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2019-2-26