AUTOMOTIVE GRADE

文件：439.92 Kbytes Page：11 Pages

DirectFETPower MOSFET

文件：235.91 Kbytes Page：11 Pages

AUTOMOTIVE GRADE

40 V、N 通道、最大 3 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET M4、Gen 10.7

AUIRL7736M2 结合最新的汽车 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术和先进的 DirectFET® 封装技术，实现优异性能，封装仅为 SO-8 或 5X6mm PQFN，外形仅 0.7mm。DirectFET® 封装兼容电源应用、PCB 装配设备和蒸汽相、红外线或对流焊接技术中所使用的现有布局几何形状，随附应用说明 AN-1035 提供制造方法和工艺相关信息。DirectFET® 封装支持双侧冷却，大幅降低汽车电源系统中的热传递。\n 该 HEXFET® 功率 MOSFET 设计用于注重效率和功率密度的应用。先进的 DirectFET® 封装平台结合最新的硅技术，使 \n优势:\n• 逻辑电平\n• 先进加工技术\n• 针对汽车电机驱动，直流-直流和其他重载应用进行了优化\n• 封装小，外形小巧\n• 高功率密度\n• 寄生参数低\n• 双面冷却\n• 175°C 的工作温度\n• 具有重复雪崩能力，可实现鲁棒性和可靠性\n• 无铅，符合 RoHS 且无卤素\n• 通过汽车认证* ;

DirectFETPower MOSFET

文件：235.91 Kbytes Page：11 Pages

AUTOMOTIVE GRADE

文件：439.92 Kbytes Page：11 Pages

DirectFETPower MOSFET

文件：235.91 Kbytes Page：11 Pages

Advanced Process Technology

文件：444.85 Kbytes Page：11 Pages

Advanced Process Technology

文件：444.85 Kbytes Page：11 Pages

Automotive DirectFET

Power MOSFET

文件：300.19 Kbytes Page：11 Pages