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ATP10价格

参考价格：￥2.9834

型号：ATP101-TL-H 品牌：ON 备注：这里有ATP10多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，ATP10批发/采购报价，ATP10行情走势销售排行榜，ATP10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ATP100SM

Standard Crystals

Surface Mount Quartz Crystal DESCRIPTION The ATP-SM crystal series offers excellent longterm stability and reliability in a proven plastic molded package. The excellent shock performance makes it suitable for today’s microprocessor, communication, consumer electronic and networking applications.

CTS

西迪斯

ATP101

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features •Low ON-resistance •Slim package • Halogen free compliance •Large current •4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP102

General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance •Large current •4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP102

P-Channel Power MOSFET, -30V, -40A, 18.5mΩ

ATP102 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -40A, 18.5mΩ, Single ATPAK for general purpose switching applications. • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim packag\n• 4.5V drive\n• Integrated Protection diode;

ONSEMI

安森美半导体

ATP103

P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-55A，13mΩ

ATP103 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -55A, 13mOhm, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application. • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim package\n• 4.5V drive\n• Protection diode in;

ONSEMI

安森美半导体

ATP103

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –30V, –55A, 13mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP103

General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP103-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –30V, –55A, 13mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP104

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –30V, –75A, 8.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP104

General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP104

P-Channel Power MOSFET, -30V, -75A, 8.4mΩ

ATP104 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -75A, 8.4mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application. • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim package\n• 4.5V drive\n• Halogen free compliance\n• Protection diode in;

ONSEMI

安森美半导体

ATP104-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –30V, –75A, 8.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP106

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –30A, 25mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP106

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP106-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –30A, 25mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP107

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –50A, 17mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP107

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP107-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –50A, 17mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP108

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –70A, 10.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP108

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

SANYO

三洋

ATP108-TL-H

P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET –40V, –70A, 10.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

ATP100D-01CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100D-01DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100D-10CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100D-10DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100DL-01CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100DL-01DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100DL-10CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100DL-10DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100E-01CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100E-01DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100E-10CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100E-10DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100S-01CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100S-01DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100S-10CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100S-10DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100SL-01CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100SL-01DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100SL-10CGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100SL-10DGM

RF POWER ATTENUATOR

文件：171.15 Kbytes Page：4 Pages

AAC

ATP100SM

Surface Mount Quartz Crystal

文件：118.43 Kbytes Page：4 Pages

CTS

西迪斯

ATP101

P-Channel Power MOSFET

文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ATP101_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：449.23 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP10-10006KV

包装：散装 描述：10DB-1GHZ ATTENUATOR RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器

HIRSCHMANN

ATP101-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：449.23 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP101-TL-H

P-Channel Power MOSFET

文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ATP101-V-TL-H

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片） 包装：管件 描述：MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

ONSEMI

安森美半导体

ATP102

P-Channel Power MOSFET

文件：345.2 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ATP102_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：450.98 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP102-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：450.98 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP102-TL-H

P-Channel Power MOSFET

文件：345.2 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ATP103_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：451.15 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP103-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：451.15 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP104_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：450.89 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP104-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：450.89 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP106_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：452.2 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP106-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：452.2 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP107_12

General-Purpose Switching Device Applications

文件：451.44 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP107-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件：451.44 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

ATP10产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    20

  • VGS(th) Max (V)：

    2.6

  • ID Max (A)：

    -25

  • PD Max (W)：

    30

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    51

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    30

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    18.5

  • Ciss Typ (pF)：

    875

  • Package Type：

    DPAK (Single Gauge)/ATPAK

ATP10供应商更多...

更新时间：2026-8-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
ATP103-TL-H
onsemi(安森美)
25+
ATPAK-3
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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深圳市高捷芯城科技有限公司
ATP103-TL-H
onsemi(安森美)
25+
ATPAK-3
20948
样件支持,可原厂排单订货!
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深圳市赛美科科技有限公司
ATP103
ON/安森美
新年份
TO-252
15863
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中天科工半导体（深圳）有限公司
ATP103
ON
20+
TO-252
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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ATP103-TL-H
ON
24+
NA
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进口原装 假一罚十 现货
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ATP103-TL-H
ON/安森美
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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深圳市星宇佳科技有限公司
ATP103-TL-H
ON/安森美
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ATP103-TL-H
ON/安森美
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ATP103-TL-H
ON/安森美
22+
TO-252
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
ATP103-TL-H
ON/安森美
22+
N/A
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现货,原厂原装假一罚十!
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  • ATP8624-A ACARD

    www.hfxcom.com

    2021-12-18

  • ATMXT540E-ATR

    Capacitive Touch Controller I2C, SPI 触摸屏控制器 , Resistive Touch Controller 4-Wire, I2C 触摸屏控制器 , Serial, 4-Wire, 5-Wire, 8-Wire, UART, USB 触摸屏控制器 , 4-Wire, I2C 3.6 V 触摸屏控制器 , I2C, GPO SMD/SMT 触摸屏控制器 , 10 Key SOIC-16 触摸屏控制器

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    2012-11-10

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