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N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

Features GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems OptimizedforDohertyApplications InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RFPowerLDMOSTransistorHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

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恩智浦恩智浦半导体公司

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更新时间:2024-9-23 9:34:01
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