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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-channel power MOS field effect tube

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FUMAN

富满微

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

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3M

更新时间:2025-8-9 17:56:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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06+
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  • AT86RF212B-ZU

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  • AT88SC0104CA-SH

    www.hfxcom.com

    2022-2-21
  • AT88SC0104CA-SH(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 集成电路(IC) 类型 :安全存储器 应用 :嵌入式,智能卡 安装类型: 表面贴装型 封装: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

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  • AT84CS001VTP

    XCZU19EG-L2FFVD1760E XCZU19EG-L1FFVC1760I XCZU19EG-L1FFVD1760I XCZU19EG-L2FFVC1760E XCZU19EG-2FFVD1760I XC7K325T-1FFG676I XC7K325T-1FFG676C XC7K325T-2FFG676C XC7K325T-2FFG676I XC7K325T-3FFG676C XC7K325T-3FFG676I XC7K325T-2FBG676I XC7K325T-2FBG676C XC7K325T-1FBG676C XC7K325T-1FBG676I

    2019-11-30
  • AT73C202-手机电源管理

    特点 •300mA/1.8V/2.5V基频电源开关稳压器 •2.8V/80mA LDO的电源为基带垫 •两个130mA/2.8V低噪声,高PSRR,射频LDO稳压器 •130mA/2.7V/2.8V基带低噪声,高PSRR LDO稳压器的模拟 •超低功耗RTC的LDO稳压器 •备份电池充电器 •锂离子或锂聚合物电池充电器控制器 •蜂鸣器和振动器驱动程序 •充电LED

    2013-2-16