| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AT8810EGC | MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC |   |
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.37293 Mbytes Page：4 Pages | HOTTECH 合科泰 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：973.56 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-channel power MOS field effect tube 文件：270.42 Kbytes Page：1 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes 文件：175.98 Kbytes Page：7 Pages | 3M | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-30AT73C202-手机电源管理
特点 •300mA/1.8V/2.5V基频电源开关稳压器 •2.8V/80mA LDO的电源为基带垫 •两个130mA/2.8V低噪声，高PSRR，射频LDO稳压器 •130mA/2.7V/2.8V基带低噪声，高PSRR LDO稳压器的模拟 •超低功耗RTC的LDO稳压器 •备份电池充电器 •锂离子或锂聚合物电池充电器控制器 •蜂鸣器和振动器驱动程序 •充电LED
2013-2-16
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