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AT343晶体管资料

  • AT343别名:AT343三极管、AT343晶体管、AT343晶体三极管

  • AT343生产厂家

  • AT343制作材料:Si-NPN

  • AT343性质:射频/高频放大 (HF)

  • AT343封装形式

  • AT343极限工作电压:20V

  • AT343最大电流允许值:0.02A

  • AT343最大工作频率:550MHZ

  • AT343引脚数

  • AT343最大耗散功率:0.18W

  • AT343放大倍数

  • AT343图片代号:NO

  • AT343vtest:20

  • AT343htest:550000000

  • AT343atest:0.02

  • AT343wtest:0.18

  • AT343代换 AT343用什么型号代替:3DG112A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-5-14 22:50:02
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