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AT12017-21

SILICONABRUPTVARACTORDIODE

DESCRIPTION: TheAT12017-21isDesignedforHighPerformanceRFandMicrowaveApplicationsRequiringanAbruptVariableCapacitanceCharacteristic. FEATURESINCLUDE: •HighTuningRatio,∆CT=9.5MIN. •HighQualityFactor,Q=300MIN. •HermeticPackage,CP=.20pF

ASI

Advanced Semiconductor

ASI

AT12017-21产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AT12017-21

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

更新时间:2025-7-7 18:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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