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位置：首页 > IC中文资料第3550页 > AS7C1025B-15TJC

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AS7C1025B-15TJC

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC
AS7C1025B-15TJCN

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC
AS7C1025B-15TJCN

封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：管件 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

Alliance

Alliance Memory, Inc.

Alliance
AS7C1025B-15TJCNTR

封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：托盘 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

Alliance

Alliance Memory, Inc.

Alliance
AS7C1025B-15JC

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC
AS7C1025B-15JCN

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC
AS7C1025B-15JI

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC
AS7C1025B-15JIN

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Functional description The AS7C1025B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) devices organized as 131,072 x 8 bits. They are designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial and comm

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

ALSC

AS7C1025B-15TJC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AS7C1025B-15TJC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

AS7C1025B-15TJC供应商更多...

更新时间：2025-8-5 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
现代芯城（深圳）科技有限公司
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Alliance Memory Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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